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半导体产业发展至今经历了三个阶段,第一代半导体材料以硅(Si)为代表,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料和以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等宽禁带为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品,第三代半导体的性能优势非常显著且受到业内广泛好评。以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料最大的优点在于能够适应高压,高频和高温的极端环境,性能大幅提升。目前全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。

伴随着我国经济的高速发展,中国智能手机、平板电脑、汽车电子、智能家居等物联网市场快速发展,尤其智能手机和平板电脑市场快速增长,对各类集成电路产品需求不断增长,已经成为全球第三代半导体应用最大市场。

国晶光电注册于山东省济南市,是专业从事晶体生产、SiC衬底片研发、生产和销售为一体的高新技术企业。公司掌握了碳化硅核心工艺技术、特别是代表未来发展趋势的6英寸和8英寸碳化硅晶体的各项关键技术,与海外同行业公司技术水平相近。为实现产业化和规模生产,2022年,公司与山西省朔州市人民政府签署了投资合作协议,在朔州建设第三代半导体及复合新材料生产基地。双方将致力于打造国内少数几家碳化硅长晶生产的龙头企业。今年4月,公司与朔州市平鲁区立航投资发展有限公司共同投资建设,打造第三代半导体及复合新材料生产基地正式奠基,开工建设,预计将在今年11月份完成土建。

2006年以来,苏州工业园区布局发展第三代半导体产业,培育了“设备辅材-衬底外延-器件-下游应用”等相关企业50余家,集聚了中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏第三代半导体研究院、国家第三代半导体创新中心等研究机构,汇聚了10多位国家级重点人才,成立了一批专业领域基金,成为了国内产业链较完整、企业集聚度较高、人才储备和技术开发水平较领先的区域之一。

2021年3月,科技部批复支持在苏州工业园区建设“国家第三代半导体技术创新中心”。迄今该中心已引进院士团队3个、高层次人才近20人,组建了激光显示等3个领域核心攻关团队;建设了材料生长创新平台、测试分析与服役平台,服务企业、高校及科研院所超百家。

为实现强强联合,寻找战略合作伙伴,国晶电子对苏州工业园区进行了实地考察,并与部分半导体企业进行了深入沟通,最终与上市公司新海宜科技集团股份有限公司达成了相关意向,意图在第三代半导体产业方面展翅翱翔,依靠国家战略,彻底解决国家在第三代半导体方面的“卡脖子”问题。